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高级 3D NAND 架构的 3D 测量
聚焦离子束减薄技术在 3D NAND 和其他高级存储设备测量中的应用。
3D NAND 闪存市场
先进存储器架构（如 3D NAND）的创新是由 IoT、人工智能、ADAS 和大数据分析等应用的数据需求驱动的。为了满足这方面的需求，存储器制造商正在努力提高其产品的位密度，这意味着更紧密的间距和更高的结构。根据这些要求，关键功能成为更高且更窄的高深宽比 (HAR) 通道、存储器或孔，推动了工艺控制的极限，从而尽量减少沿孔长度的弯曲、扭曲和倾斜等问题。
测量设备
测量（即衡量这些临界尺寸的过程 (CD)）是主要的技术挑战之一。在 3D NAND 中测量 HAR 结构的临界尺寸很困难，因为存储器层的结构导致传统测量设备无法访问这些特征的整个深度，尤其是在堆栈的中部和底部区域。传统的测量工具有局限性，使制造商无法快速准确地测量 HAR 结构。最终，这将增加成本和工艺复杂性，并延误下一项技术推向市场的时间。
3D 测量
随着 3D NAND 层数的增加，审视整个堆栈的能力对于推动工艺改进、降低成品率损失和缩短达到最大生产力的时间至关重要。传统测量无法提供对 CD 测量的全深度访问，而聚焦离子束 (FIB) 测量技术能够从顶部到底部割穿整个结构，从而揭示结构缺陷和特征，以供分析。
这份重要白皮书讨论了更精确地查看和测量高深宽比器件的新技术。
下载白皮书即可了解：
- 3D NAND 测量挑战
- 用于暴露和测量 CD 的对角减薄和逐层沉积技术
- 内嵌式测量如何缩短获得数据结果所需的时间并降低开发成本
