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Lumis EBSD 探测器采用了较先进的 CMOS 传感器技术,配有高级光学元件,使用加速索引算法,和低至 10 pA 及更低的束流来分析电子背散射花样 (EBSP) 。
该探测器采用 > 220 万像素模式采集,非常适合 HR-EBSD 应变测量和用于相鉴别。
使用光学和传感器组合,可优化探测器从而以每秒数千帧的速度进行高速 EBSD,以缩短采集时间并提高样品处理量。高级光学元件和较高的传感器灵敏度允许在低于 10 pA 的超低束流下采集 EBSP。这对于电子束敏感和剂量受限材料或者在较高的束流可能导致污染或漂移的情况下尤其重要。
一种大规格 CMOS 传感器和一个专利反向变焦光学元件,以补充和扩展内置 CMOS 传感器组合。高效、八边形闪烁器将背散射电子转换为光,通过高质量的反向变焦光学元器件聚焦到传感器的用户控制区域。这允许连续选择“合并”EBSP 大小,并为 EBSP 速度、质量和灵敏度提供完全灵活性。