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货号
CID8712D1MCCIR
单位规格
Each
描述
CID8712D1 M 抗辐射晶体管 CID 摄像机 (CCIR)
总像素
786(H) x 612(V)
灵敏度
全输出 1.0 fc 荧光屏，0 dB 增益，照明 (T=2850 K)
价格（CNY)
| 相机 | 抗辐射晶体管 CID 摄像机 |
| 失真 | 0 |
| Imager (Optical Format) | 2/3 in. |
| 像素尺寸 | 11.5 x 11.5 µm |
| 分辨率 | >500 TVL（水平） |
| 电荷注入设备 | 抗辐射晶体管 CID 摄像机 |
| CCD | CCIR，25 FPS，2:1 隔行扫描 |
| 接头类型 | (J1) 25 管销 D（公头），(J2) 25 管销 D（母头），(J3) 26 管销 D（母头），(BNC) 标准 |
| 工作湿度范围 | 0 至 95%，非冷凝 |
| 输入 | (J1) + 15 VDC，复合同步/H 驱动，(J2) V 驱动，禁止注入，帧重置 |
| 输出 | (J1) 视频，帧结束，行结束，H 和 V 驱动，复合同步，消隐；(J2) 视频，ALC，14。 |
| 灵敏度 | 全输出 1.0 fc 荧光屏，0 dB 增益，照明 (T=2850 K) |
| 线缆长度（公制） | 30 m |
| 复合视频 | 1V p-p，终端匹配 75 欧姆电阻 |
| CCTV | CID |
| 有效像素 | 768(H) x 475(V)（RS-170 模式）；768(H) x 575(V)（CCIR 模式） |
| 噪声 | 47 dB |
| 信噪比 | 47 dB |
| 总像素 | 786(H) x 612(V) |
| 级别 | 黑电平：+50 mV（自动黑箝位），白电平：+700 mV，同步电平：-300 mV |
| 全阱容量 | >250000 电子 |
| 有效面积 | 11 mm（对角线） |
| 工作温度（英制） | 32°F 至 86°F |
| 工作温度（公制） | 0°C 至 30°C |
| 电子学配置（扫描格式） | CCIR，25 FPS，2:1 隔行扫描 |
| 环境条件 | 振动：50 G（周期为 10 ms 的 1/2 正弦波） |
| 安装选项 | 透镜接口：标准 C 接口（1.0 in. - 32 圈螺纹）；摄像机接口：1/4 in. - 20 圈螺纹 |
| 电压 | 14.5 至 15.5 VDC |
| 瓦数 | 18 W |
| 功耗 | 1.2 A |
| 描述 | CID8712D1 M 抗辐射晶体管 CID 摄像机 (CCIR) |
| 检测器类型 | CID |
| Gain | x2、x0.5（内部开关可选） |
| 图像传感器 | CID |
| CCU 重量（英制） | 33 oz. |
| 头部重量（英制） | 9.7 oz. |
| CCU 重量（公制） | 0.93 kg |
| 头部重量（公制） | 0.27 kg |
| Unit Size | Each |
显示1，共1
| 货号 | 规格 | 单位规格 | 描述 | 总像素 | 灵敏度 | 价格（CNY) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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| CID8712D1MCCIR | Each | CID8712D1 M 抗辐射晶体管 CID 摄像机 (CCIR) | 786(H) x 612(V) | 全输出 1.0 fc 荧光屏，0 dB 增益，照明 (T=2850 K) | 申请报价 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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还具有所有 CID 固有的卓越的抗光晕性能，并具有定格功能以在中心帧捕获并读取非同步高速事件。灵活多样的摄像头安装功能可简化安装，节省空间，标准 “C” 接口透镜适配器可支持后焦点调整。
- 摄像机可耐受 γ、中子、高能电子和质子辐射
- 由于在 CID 像素内进行像素电荷读取，因此很少出现其他成像技术中常见的单一事件干扰
- CID 结构具有固有耐辐射特性，而且在针对 CID 工艺进行特定修改后，已具有抗辐射能力
- 与 CCD 和 CMOS 摄像机相比，CID 摄像机在辐射环境下的操作性能至少提高了一个数量级
- 成像仪还具有固有抗光晕性能，可耐受高光反射过载
- 光过载被限制在每个像素或紧邻的像素内，因此相邻行或列不共享电荷
- 光谱响应为 200nm 至 1100nm，有适用于 X 射线、远紫外线和红外线的涂层可供选择
- CID 成像仪具有连续一致的像素结构，整个传感器工作时几乎无不透明区，便于亚像素边缘检测的像素间插值
- 小型远程摄像头可轻松更换，它通过所提供长度的挠性线缆连接至摄像机控制装置
- 电荷注入设备 (CID) 抗辐射技术
- 1 x 106 拉德总剂量 (γ) 在 7 x 105 拉德/h 下有出色的成像质量 高分辨率/小尺寸 可更换的远程摄像头 无几何畸变
- 1:1 长宽比像素
- 精确边缘检测
- 可选择 2x 和 0.5 视频增益提升
订货提示：
根据要求，摄像机有 RS-170 或逐行扫描格式。选项包括彩色和自定义版以及用于空气和水下操作的第三方计划。
需要：
需要外部电源供电 +11.5 至 +17 VDC。
建议用于：
- 检查与测量
- 工艺监测
- 自动处理
- 热室监测
- 激光束分析
- 科研
图表
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引用和文献
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