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用于半导体的 Helios™ G4 PFIB Hxe DualBeam™
Thermo Scientific™
用于半导体的 Helios™ G4 PFIB Hxe DualBeam™
货号:
HELIOSG4HXE
技术支持
客户服务
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用于半导体的 Helios™ G4 PFIB Hxe DualBeam™
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HELIOSG4HXE
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Thermo Scientific Helios G4 PFIB HXe DualBeam 系统提供独特的功能,除广泛的其他大面积 FIB 处理应用外,还能够实现 10 nm 半导体器件的无损伤延迟和 3D 封装的高级故障分析。
货号
HELIOSG4HXE
单位规格
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价格(CNY)
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完整规格
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Helios G4 PFIB HXe DualBeam 系统使您能够:
使用具有高电流 UC+ 单色器技术的一流 Elstar™ SEM 电子镜筒,可获得纳米级 SEM 图像分辨率和表面灵敏度,从而显示较为细致的细节信息。
使用新一代 2.5微安 氙等离子体 FIB (PFIB 2.0) 镜筒,可进行较高通量和质量相关 3D 表征、横向切片和微加工。
使用自动摇摆研磨机,可实现高产率、无屏障大面积横向切片制备并获得高质量 TEM 片晶。
实现卓越的低 kV 离子束性能,可提高材料灵敏度和降低样品制备损伤。
通过可选配的 MultiChem 或 GIS 气体输送系统,可提供在 FIB-SEM 系统上进行电子和离子束诱导的沉积及蚀刻的较高级功能。
在常规和低 k 电介质中,采用专有的 Dx 和 DE 化学物质对铜金属化进行逆向处理。并通过基于等离子 FIB 的化学过程和配方铣削先进的包装材料。
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