用于半导体的 Hyperion™ 系统

Thermo Scientific™ Hyperion II 系统可带来快速、准确的晶体管电性表征和故障定位功能，为半导体技术发展、良率提升以及器件可靠性的改善提供有力的支持。Hyperion II 系统卓越的稳定性可将纳米探测带入 10 nm 以下技术节点。Hyperion II 系统的 SPM 技术支持 PicoCurrent 成像，该技术可快速识别短路、开路、漏电路径和电阻触点，其灵敏度比被动式电压衬度高 1,000 倍以上。扫描电容显微镜检查 (SCM) 模块提供基于图像的 SOI 晶片故障定位，以及高分辨率掺杂剂谱图分析。

功能 

• 专为 10 nm 技术设计的成熟纳米探测解决方案。
• 可配置四、六或八个探针，以增加灵活性和性能。
• 自动吸头更换和自动吸头方法，可提高生产率且易于使用。 

测量模式 

Hyperion II 系统的先进测量模式包括： 

• 用于研究氧化物层和界面阱的低噪声、高分辨率电容-电压 (C-V)。
• 用于识别开放和电阻栅缺陷的脉冲 IV。
• 用于研究设备可靠性的高温探测。

电流-电压 (I-V) 测量

探测目标区域内的多个晶体管以定位故障是一项耗时的工作。Hyperion II 系统结合了 I-V 探测的 PicoCurrent 成像功能，可快速找到潜在缺陷，并测量电流-电压曲线，不会引入测量相关偏移。

电容-电压 (C-V) 测量

C-V 用于研究氧化物层、界面阱和电荷载体密度。Hyperion II 系统提供高分辨率 C-V，具有出色的阻抗控制、低漏电和极低噪声。

脉冲 I-V 测量

脉冲 I-V 用于研究高 k 介质中 SOI 和捕获电荷的自加热。Hyperion II 系统可对设备进行高速检测，上升时间短于一纳秒。