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对于需要一流性能并可诊断参数失效、不良设计过程引起的多种失效模式的先进低电压高密度半导体器件开发者,Meridian-IV 系统是优先选择。
功能包括基于先进 InGaAs 的标准发射检测或基于 DBX 的高灵敏度扩展波长发射检测;获得专利、行业认可的 点选式 固体浸没透镜 (SIL);易于 ATE 直接对接的倒置平台;与广受欢迎的第三方 EDA 应用兼容;可选的激光扫描显微镜 (LSM),可用于静态和动态分析;易于与封装部件和晶片/晶粒背面样品配合使用;可选的 350 倍长工作距离 SIL。
仅当故障设备在特定操作参数集(通常包括电压、时钟速度和温度)下运行时才会发现参数缺陷。实施强大而灵活的检测技术(与一组先进的分析方法相结合),允许引入新的动态应用,如逻辑状态映射 (LoSM) 和动态激光刺激 (DLS)。Meridian 有助于开发极先进的动态应用和技术,同时保持隔离静态故障的能力。
配置 & 特点
Meridian 平台上的光子发射显微镜检查 (PEM) 基于一种优化组合,即高灵敏度 InGaAs 或 DBX 相机和高数值孔径 (NA) 像差校正光学元件。Meridian-IV 系统提供高分辨率硅通孔成像,用于背侧设备分析。低噪声和高灵敏度,获得的发射数据具有卓越信噪比,从而可进行快速、晶体管水平故障检测。DBX 配置提供行业领先的结果,即使是在低于 0.5 伏的设备上。
激光扫描显微镜 (LSM) 选项将 Meridian 转变为高分辨率、高对比度共聚焦激光扫描系统,针对静态和动态故障分析进行了优化。OBIRCH、OBIC 和 Seebeck 效应成像 (SEI) 等静态激光刺激 (SLS) 应用可识别短路故障和电阻故障的源头,对基于发射的技术进行了补充。
先进的 Sierra 用户环境和分析软件包包括构建高质量、高放大率图像马赛克的能力。采集单一高放大率图像,然后无缝集成,以在大视野内形成设备的高分辨率图像。