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技术行业的一个主要的持续挑战是半导体器件和晶体管特征尺寸的缩小。为了保持出色的可靠性、性能和良率,半导体故障分析技术必须不断改进,以应对这一挑战。因此,需要高端、先进的仪器来实现半导体故障定位并识别缺陷结构,由于高密度互连、晶片级堆栈和复杂的 3D 架构,这些缺陷结构有更多的隐藏位置。

纳米探测是一种先进的表征技术,旨在通过纳米探针找出可能对良率、可靠性和性能产生负面影响的电气缺陷。纳米探测还可提供电气故障的精确定位,这对于有效的透射电镜(TEM)故障分析工作流程是必要的。

Thermo Fisher Scientific 提供了一系列先进的半导体纳米探测和样品制备工具,可在多种先进器件上实现可靠且准确的电气故障隔离。Thermo Scientific nProber IV 系统是一个基于扫描电镜的高性能平台,用于晶体管和金属化故障的定位。Thermo Scientific Hyperion II 系统是一种高生产率的原子力轮廓分析纳米探测器,具有领先的晶体管探测性能,包括集成的导电原子力显微镜 (C-AFM) 功能。更多信息请参见以下产品页面。

半导体纳米探测工作流程示例

 

 


半导体纳米探测相关资源


纳米探针的相关应用

半导体寻路

半导体探索和开发

先进的电子显微镜、聚焦离子束和相关半导体分析技术可用于识别制造高性能半导体器件的可行解决方案和设计方法。

半导体故障分析

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越来越复杂的半导体器件结构导致更多隐藏故障引起的缺陷的位置。我们的新一代半导体分析工作流程可帮助您定位和表征影响量产、性能和可靠性的细微的电子问题。

物理和化学表征

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持续的消费者需求推动了创建更小型、更快和更便宜的电子设备。它们的生产依赖高效的仪器和工作流程,可对多种半导体和显示设备进行电子显微镜成像、分析和表征。

ESD半导体鉴定

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每个静电放电 (ESD) 控制计划都必须识别对 ESD 敏感的器件。我们提供一整套ESD测试系统,帮助满足您的器件鉴定要求。

电源半导体设备分析

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电源设备让定位故障面临独特的挑战,主要是由于电源设备结构和布局。我们的电源设备分析工具和工作流程可在工作条件下快速实现故障定位并提供精确、高通量的分析,以便表征材料、接口和设备结构。


半导体纳米探测样品


半导体材料和器件表征

随着半导体器件的缩小和变得越来越复杂,半导体产品需要新的设计和结构。高效的 3D 分析工作流程可以缩短器件开发时间,最大程度提高产量,并确保器件符合行业未来需求。

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半导体纳米探测相关产品

仪器卡片原件样式表

Talos F200E TEM

  • 半导体和微电子装置的高质量 (S)TEM 成像
  • 使用 EDS 进行精确、高速的化学表征
  • 专用半导体相关应用

nProber IV

  • 定位晶体管和 BEOL 故障
  • 热纳米探测(-40°C 至 150°C)
  • 半自动操作

Hyperion II 系统

  • 原子力探测
  • 定位晶体管故障
  • 集成式 PicoCurrent (CAFM)

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