c7c8 - 主要特点/性能数据/相关资源/应用/技术/文档/联系人

先进的逻辑和存储器制造工艺越来越依赖于精确的结构和分析数据的快速周转,以便能够快速校准工具套件、诊断良率偏移并优化工艺得率。在 28 nm 以下的技术节点,特别是在实施 3D 和先进设备设计的情况下,传统的 SEM 或基于光学的分析和检查工具遇到挑战,无法提供稳健和可靠的数据。Thermo Scientific Metrios AX 透射电子显微镜 (TEM) 是首款致力于为半导体生产商提供快速精准表征和参考计量,从而满足其晶片制造过程开发和控制需求以加快盈利收益的 TEM。

准确且可重复的大量 TEM 数据

Metrios AX TEM 可自动进行基础 TEM 操作和测量程序,尽可能减少了对专业操作员培训的要求。其先进的自动化计量程序提供的精度显著高于手动方法。Metrios AX TEM 设计用于提供比其他 TEM 更高的通量和更低的每份样品的成本。


主要特点

一致、可重复、精确

全新设计,提供可重复的基于 TEM 和 STEM 的成像、分析和具备计量能力的计量器。

计量准确度

TEM 和 STEM 失真和放大率校正的组合误差小于 0.75%。

自动化 EDS 和混合计量

通过自动化获取和量化 EDS 数据。使用关键尺寸元件对比度来扩展 STEM。

工作流程连通性

通过样品制备、提取和成像跟踪关键工艺数据。计量可离线应用,从而极大增加工具采集时间。所有成像和计量数据均整合在基于网络的图像查看器中。


规格

产品表格规范样式表

高压范围 (kV)

60-200 kV

信息限度 200 kV (nm)

0.11

 

未校正

探头校正*

STEM HAADF 分辨率 (nm) 200 kV

  • ≤ 0.164
  • ≤ 0.083

STEM HAADF 分辨率 (nm) 80 kV

  • ≤ 0.31
  • ≤ 0.11

用于水平和垂直的 MetroCal 晶片的计量精密度

  • ≤ 0.3 nm 3σ
 

电子源

  • X-CFEG 或 XFEG
 

超稳定电子设备和高压

  • 包含
 

隔音罩

  • 包含
 

恒定功率透镜

  • 包含
 

压电载物台

  • 包含
 

探头校正器兼容

 
*供手动使用。规格可发生变更。

相关资源

应用

半导体寻路

半导体探索和开发

先进的电子显微镜、聚焦离子束和相关半导体分析技术可用于识别制造高性能半导体器件的可行解决方案和设计方法。

半导体良率提升和计量

良率提升和计量

我们为缺陷分析、计量学和工艺控制提供先进的分析功能,旨在帮助提高生产率并改善一系列半导体应用和设备的产量。

半导体故障分析

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越来越复杂的半导体器件结构导致更多隐藏故障引起的缺陷的位置。我们的新一代半导体分析工作流程可帮助您定位和表征影响量产、性能和可靠性的细微的电子问题。

物理和化学表征

物理和化学表征

持续的消费者需求推动了创建更小型、更快和更便宜的电子设备。它们的生产依赖高效的仪器和工作流程,可对多种半导体和显示设备进行电子显微镜成像、分析和表征。


技术

半导体TEM成像和分析

Thermo Fisher Scientific 透射电镜可对半导体器件进行高分辨率成像和分析,使制造商能够校准工具集、诊断故障机制并优化整体流程产量。

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TEM计量

先进的自动化 TEM 计量程序的精确度比手动方法高得多。这样用户可以生成大量具有亚埃级特异性的统计相关数据、而不存在操作员偏差。

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半导体TEM成像和分析

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